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电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点，在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高，电吸收调制激光器也不断被优化。文章......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
磷化铟(InP)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中,InP半导体器件......
量子点因其具备尺寸可调、单色性好、发光波长广、荧光量子产量高等优异特性被广泛关注,广泛应用于生物医学领域及半导体材料领域......
目的:从患者角度探索成年人阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征患者术后住院期间真实体验，为提高此类患者术后住院期间舒适度和满意度......
文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW......
Analyze for In Pnanowires morphology formed by Au -assisted metal- organic chemical vapor deposition
In this paper,the (VLS) growth of the In PNWs on In P(100) substrate with Au particles as catalyst was reported.The NWs ......
在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是......
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过......
在不同的GaInP外延层上生长了自组织InP量子点,以观察应力对自组织量子点的影响.随着应力的增加,量子点的形状不断变化.通过分析计......
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基......
InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件......
Numerical Analysis of Surface Plasmon Polariton and Localized Surface Plasmon in Gold Nanowire Polar
Conventional IR detectors measure the optical intensity of interested wave band.While polarimetric detector provides......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
InP和Bi2S3量子点因其具有独特的光学性质和毒性小等优点,业已引起人们的关注。有关InP和Bi2S3量子点的制备及性质研究已有较多报......
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。
The fabrication proces......
据《半导体世界》（日文）1994年第8期报道，新功能化合物半导体洽谈会发表了1993年度化合物半导体材料的上市销售统计报告书。从该报告......
Enhancement of Crystalline Quality of Strained InAs／InP Quantum Well Structures by Rapid Thermal Ann
ＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＱｕａｌｉｔｙｏｆＳｔｒａｉｎｅｄＩｎＡｓ／ＩｎＰＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓｂｙＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇＸＩＮＧＱＪ；ＺＨＡＮＧＢ；ＷＡＮＧＳＭ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖ...
EnhancementofCrystallineQualityofStrainedInAs/InPQuantumWellStructuresbyRapidThermalAnalingXINGQJ; ZHANGB; WANGSM (......
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工......
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
A current controlled two......
ＩｎＰ基谐振隧道ＨＥＭＴ（ＲＴＨＥＭＴ）倍频器最近，日本ＮＴＴ实验室报道了一种采用简单电路的室温工作的倍频器，这种电路由负载电阻器和谐振隧道ＨＥＭＴ组成。ＲＴＨＥＭＴ是将ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ赝配谐振隧......
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高......
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀......
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰......
用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对......
采用两次液相外延（ＬＰＥ）技术制备了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ内含吸收光栅的增益耦合型分布反馈（ＤＦＢ）激光器，成功地利用湿法腐蚀光栅技术，控制了吸收光栅的形状和占空比......
给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结......
本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
本文利用５００ＭｅＶ的Ｎｅ离子对掺Ｚｎ的ＩｎＰ的半导体进行了辐照，并且ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷．模拟计算结果表明，注入的Ｎｅ的离子及辐照产生......
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征......
利用X射线光电子谱和原子力显微镜研究经气相和溶液钝化的InP表面的化学健合、表面残余氧含量、表面刻蚀效应和粗糙度。结果表明 ,......
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次......
本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而......
InP单晶是制作长波长光源器件和光电探测器的衬底材料,在微波领域的应用也已经取得了显著进展,在未来新能源中,它又是一种很有希......
日本富士通公司采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｉｎｐ衬底上生长晶格匹配Ｉｎ 0 .52Ａ10 .4 8Ａｓ/Ｉｎ 0 .53Ｇａ 0 .4 7ＡｓＨＥＭＴ。这种ＨＥＭＴ的 50ｍｍＴ型Ｔｉ/Ｐｅ/Ａｕ栅制作可在小于 30 0℃下进行 ,并遏制Ｓｉ......
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子......
介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的......
